Pracownicy WAT w gronie autorów prestiżowego 118 tomu Semiconductors and Semimetals

W sierpniu 2025 r., pod redakcją pracowników NASA Jet Propulsion Laboratory (JPL) – Dr Saratha D. Gunapala i Dr Davida Tinga ukazał się nowy 118 tom serii monografii Semiconductors and Semimetals zatytułowanej Recent Development in Type-II Superlattice Infrared Detectors opublikowanej przez dom wydawniczy Academic Press (USA), który obecnie jest częścią Elsevier (Holandia). W gronie 24 autorów, z najlepszych ośrodków badawczych świata zajmujących się supersieciowymi detektorami podczerwieni, znalazło się dwóch pracowników naukowych Zakładu Fizyki Ciała Stałego (ZCS)/Instytutu Fizyki Technicznej (IFT)/Wojskowej Akademii Technicznej: prof. dr hab. inż. Antoni Rogalski, czł. rzecz. PAN i prof. dr hab. inż. Piotr Martyniuk, którzy opracowali Rozdział 5 tej monografii: Near-room temperature InAsSb based infrared photodetectors.

Monografie Semiconductors and Semimetals to prestiżowa a zarazem już historyczna seria (pierwszy tom wydano w 1966 roku) obejmująca najbardziej aktualną tematykę z zakresu rozwoju technologii i badań materiałów półprzewodnikowych. Aktualne wydanie (118 tom) stanowi kontynuacje tomu 84 tej serii, który przedstawiał przegląd stanu technologii i właściwości przyrządów supersieciowych do 2011 r.

Obecnie, supersieci II rodzaju (materiały „nowej fali”) stanowią najszybciej rozwijającą się klasę materiałów półprzewodnikowych stosowanych w aktywnych obszarach detektorów podczerwieni pracujących w szerokim zakresie widma promieniowania od 1 do 15 µm. Cechą charakterystyczną jest to, że ich właściwości optyczne i transportu elektronowego są określone przez tzw. kwantowe zjawiska rozmiarowe, znacznie różniące się od tych dominujących w klasycznych materiałach krystalicznych do których należy tellurek kadmowo-rtęciowy (HgCdTe) – dotychczas dominujący w produkcji detektorów podczerwieni.

Tom 84 serii monografii Semiconductors and Semimetals przedstawił przegląd stanu badań supersieci drugiego typu (w języku angielskim type-II superlattices T2SLs) do 2011 r. Od tego czasu poczyniono ogromny postęp w dziedzinie badań tych detektorów supersieciowych. Oprócz dominujących do 2011 roku detektorów z supersieci InAs/GaSb, w ostatniej dekadzie pojawiły się alternatywne detektory T2SLs z InAs/InAsSb (bez zawartości galu, Ga) charakteryzujące się dłuższym czasem życia nośników, co ma decydujący wpływ na uzyskanie lepszych osiągów detektorów. Ponadto, proces technologiczny wzrostu supersieci z InAs/InAsSb jest lepiej kontrolowany niż supersieci z InAs/GaSb. Megapikselowe matryce detektorów z T2SLs są już produkowane przez kilka komercyjnych dostawców. Aktywnie poszukuje się nowych konstrukcji detektorów (do których należą międzypasmowe kaskadowe detektory podczerwieni i detektory z soczewką immersyjną), aby podnieść temperaturę pracy detektorów do temperatury bliskiej pokojowej. I właśnie w tym kierunku badań prace zespołu ZCS Instytutu Fizyki Technicznej, poparte współpracą z VIGO Photonics S.A., są wiodące w świecie. Rozdział 5 monografii Recent Development in Type-II Superlattice Infrared Detectors opracowany przez profesorów A. Rogalskiego i P. Martyniuka przedstawia unikatowe w świecie wyniki badań tej ostatniej klasy detektorów podczerwieni prowadzonych w ZCS – w tym miedzypasmowych detektorów kaskadowych z InAs/InAsSb. Tom 118 dostępny: https://www.sciencedirect.com/bookseries/semiconductors-and-semimetals/vol/118/suppl/C