Zakład Fizy­ki i Tech­nologii Krysz­tałów ZFiTK prowadzi zarówno dzi­ałal­ność naukową i dydak­ty­czną.  

Kierun­ki badań real­i­zowanych w Zakładzie Fizy­ki i Tech­nologii Krysz­tałów: 

  • Bada­nia właś­ci­woś­ci fizy­cznych i efek­tów elek­troop­ty­cznych w mate­ri­ałach ciekłokrys­tal­icznych dla wyświ­et­laczy adresowanych bezpośred­nio i matrycowo, 
  • Bada­nia mate­ri­ałów na szy­bkie przetworni­ki na bazie fer­ro- i anty­fer­roelek­trycznych ciekłych krysz­tałów, 
  • Holo­graficzne przed­staw­ie­nie obrazów przesyłanych drogą elek­tron­iczną w opar­ciu o przetworni­ki ciekłokrys­tal­iczne, 
  • Badanie kom­pozytów otrzy­manych na bazie ciekłych krysz­tałów, 
  • Tech­nolo­gia i otrzymy­wanie mate­ri­ałów monokrys­tal­icznych o nielin­iowych właś­ci­woś­ci­ach opty­cznych ( głównie z grupy boranów, pod­wójnych wol­frami­anów i silen­itów), 
  • Opty­mal­iza­c­ja tech­nologii wyświ­et­laczy ciekłokrys­tal­icznych, 
  • Bada­nia rentgenowskie stałych i ciekłych krysz­tałów, 
  • Zas­tosowanie ciekłych krysz­tałów w teleko­mu­nikacji w akty­wnych ele­men­tach mod­u­lu­ją­cych wiąz­ki świ­etlne, przenoszące infor­ma­cję, 
  • Mod­e­lowanie kom­put­erowe i opty­mal­iza­c­ja budowy przetworników ciekłokrys­tal­icznych różnego typu, 
  • Wyt­warzanie i badanie cien­kich warstw dielek­trycznych i met­al­icznych, 
  • Bada­nia opty­czne cien­kich warstw za pomocą mikroskopii opty­cznej AFM i metodą elip­som­e­tryczną. 

Dzi­ałal­ność dydak­ty­cz­na zakładu wiąże się z prowadze­niem zajęć z fizy­ki dla stu­den­tów wszys­t­kich wydzi­ałów WAT, a także przed­miotów spec­jal­isty­cznych dla stu­den­tów pier­wszego i drugiego stop­nia spec­jal­noś­ci inżynieria mate­ri­ałowa oraz stu­den­tów szkoły dok­torskiej. 

LABORATORIA NAUKOWE ZAKŁADU TECHNICZNYCH ZASTOSOWAŃ FIZYKI 

Zakład Fizy­ki Tech­nicznej i Tech­nologii Krysz­tałów posi­a­da zaplecze lab­o­ra­to­ryjne przys­tosowane do prowadzenia badań i prac tech­no­log­icznych. 

LABORATORIA TECHNOLOGICZNE 

  • lab­o­ra­to­ri­um wzros­tu krysz­tałów 
  • lab­o­ra­to­ri­um tech­nologii przetworników ciekłokrys­tal­icznych „ clean-room” 

 

LABORATORIA CHARAKTERYZACJI MATERIAŁÓW 

  • pra­cow­n­ia badań elek­troop­ty­cznych 
  • pra­cow­n­ia rentgenows­ka 
  • pra­cow­n­ia  pomi­arów dielek­trycznych 
  • pra­cow­n­ia pomi­arów opty­cznych 
  • pra­cow­n­ia badań elek­troop­ty­cznych 
  • Pra­cow­n­ia pomi­arów spek­trom­e­trycznych (FTIR) 

Ważne osiąg­nię­cia 

  • Opra­cow­anie tech­nologii cyfrowych i seg­men­towych wyświ­et­laczy ciekłokrys­tal­icznych adresowanych mul­ti­plek­sowo i bezpośred­nio. 
  • Opra­cow­anie tech­nologii szy­b­kich przetworników elek­troop­ty­cznych na bazie fer­roelek­trycznych i anty­fer­roelek­trycznych smek­ty­cznych mate­ri­ałów ciekłokrys­tal­icznych. 
  • Opra­cow­anie tech­nologii przetworników elek­troop­ty­cznych do akty­wnych i pasy­wnych środ­ków ochrony wzroku przed ekscesy­wnym promieniowaniem elek­tro­mag­ne­ty­cznym, w tym laserowym. 
  • Opra­cow­anie akty­wnych ele­men­tów ciekłokrys­tal­icznych w jakoś­ci inter­fer­om­e­trycznej do inter­fer­ometru laserowego 3D. 
  • Opra­cow­anie akty­wnych ele­men­tów ciekłokrys­tal­icznych inter­fer­ometru laserowego lądown­i­ka mis­ji  kos­micznej FOBOS Grunt. 
  • Opra­cow­anie smek­ty­cznych mate­ri­ałów jonowych i tech­nologii wyko­na­nia ele­men­tów opty­cznych  z pamię­cią. 
  • Opra­cow­anie tech­nologii wyko­na­nia wnęk opty­cznych (stro­jonych struk­tu­ra ciekłokrys­tal­iczną) do gen­er­acji specy­ficznego promieniowa­nia. 
  • Opra­cow­anie ele­men­tów opty­ki dyfrak­cyjnej i fazowej na bazie struk­tur foto­porząd­kowanych. 
  • Opra­cow­anie tech­nologii wyt­warza­nia struk­tur ciekłokrys­tal­icznych dys­per­gowanych w polimer­ach. 
  • Opra­cow­anie tech­nologii monokrys­tal­iza­cji szeregu mate­ri­ałów tlenkowych dla takich zas­tosowań optoelek­tron­icznych jak: 
  • lasery z pod­wo­je­niem częs­totli­woś­ci 
  • gen­er­a­to­ry drugiej har­mon­icznej 
  • opty­czne oscy­la­to­ry para­me­tryczne 
  • Opra­cow­anie tech­nologii czystych i domieszkowanych monokrysz­tałów pod­wójnych wol­frami­anów KGd(WO4)2 o sil­nych właś­ci­woś­ci­ach lumi­nes­cen­cyjnych, boranów (CsLiB6O10, Li2B4O7, BiB3O6, YAl3(BO3)4, Bi2ZnB2O7) i tel­luro­molib­de­ni­anów (BaTeMo2O9, CoTeMoO6) dla opty­ki nielin­iowej, silen­itów o włas­noś­ci­ach fotochro­mowych i fotore­frak­cyjnych (Bi12SiO20, Bi122GeO20, Bi12TiO20), akus­toop­ty­cznych krysz­tałów TeO2 do deflek­torów i stro­jonych fil­trów światła, fer­ro- oraz anty­fer­roelek­trycznych i piezoelek­trycznych krysz­tałów (PbZrO3, PbZr(1x)TixO3, PbZr(1x)SnxO3, Pb5Ge3O11) 
  • Opra­cow­anie tech­nologii mikro- i nanocząstek wybranych faz krys­tal­icznych mate­ri­ałów tlenkowych wymienionych powyżej.