Jednostki organizacyjne

USOS

Laboratorium umożliwia nam wykonywanie charakteryzacji optycznych i elektrycznych wytwarzanych struktur i przyrządów detekcyjnych. Wyposażone jest między innymi w:

  • spektrofotometr FTIR (z mikroskopem podczerwieni) do pomiarów charakterystyk widmowych transmisji, absorpcji i odbicia,
  •  nowoczesny układ do pomiaru szybkości odpowiedzi detektorów, w skład którego wchodzi pikosekundowy generator optyczny Ekspla PG 711 oraz oscyloskop Agilent pracujący w częstotliwościach do 8 GHz. Generator optyczny stanowi przestrajalne źródło promieniowania podczerwonego od bliskiej (1 400 nm) do dalekiej podczerwieni (16 000 nm). Podstawowym źródłem promieniowania jest pikosekundowy laser Nd:YAG,
  • profilometr optyczny WYKO NT 1100. Służy do obrazowania oraz charakteryzowania powierzchni materiałów półprzewodnikowych. Pozwala on na pomiary chropowatości, grubości warstwy, kształtu/geometrii profilu. Dokładność zobrazowania struktur jest na poziomie 0.1µm,
  • mikroskop optyczny (50-1000x) z kontrastem Nomarskiego;
  • Kriostacja do wstępnej charakteryzacji prądowo-napięciowej struktur półprzewodnikowych. Stacja pozwala na wykonywanie pomiarów elektrycznych w szerokim zakresie temperatur rozpoczynającym się od 75 K aż do 400 K. Stabilizacja temperatury jest rzędu ±0,05 K. Pomiary można prowadzić nawet na  6 strukturach jednocześnie.
  • zautomatyzowany układ do pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych oraz pojemnościowych fotodiod;
  • układ do pomiaru efektu Hall’a metodą van der Pauwa.

 

Laboratorium zlokalizowane przy ulicy Kaliskiego 2 w Warszawie (bud. 100, p. 162).

char1char2char3char4

INFO DLA WYKŁADOWCÓW