| Profil badań naukowych Zakładu obejmuje właściwości półprzewodników o wąskiej przerwie energetycznej do zastosowań w technologii detektorów podczerwieni, oraz technologię i badania detektorów podczerwieni. |
| |
| Aktualne główne kierunki badań to: |
| |
|
|
|
 |
 |
|
teoria zjawisk fotoeletrycznych w detektorach i symulacja procesów elektrooptycznych w przyrządach półprzewodnikowych, |
| |
|
|
technologia związków półprzewodnikowych z grupy A II B IV na bazie epitaksji z fazy ciekłej (LPE), |
| |
|
|
wytwarzanie epitaksjalnych warstw HgCdTe metodą rozkładu związków metaloorganicznych (MOCVD), |
| |
|
|
konstrukcja detektorów i mozaik liniowych fotodiod na zakres 3-5 oraz 8-14 µm pracujących w temperaturze 200-300 K oraz 77 K. |
| |
Baza lokalowa i techniczna: |
| |
|
|
|
| |
|
|
Laboratorium badawczo-produkcyjne wyposażone w układ do wytwarzania epitaksjalnych warstw HgCdTe metodą MOCVD. |
| |
|
|
Laboratorium LPE wyposażone w dwa stanowiska do wytwarzania warstw półprzewodnikowych związków A II B IV metodą epitaksji z fazy ciekłej. |
| |
|
|
Laboratorium próżniowe wyposażone w stanowiska do otrzymywania warstw metalicznych i dielektrycznych metodą sputteringu oraz naparowania próżniowego. |
| |
|
|
Laboratorium charakteryzacji materiałów wyposażone w: spektrofotometr FTIR (z mikroskopem podczerwieni) do pomiarów charakterystyk widmowych transmisji, absorpcji i odbicia; mikroskop optyczny (50-1000x) z kontrastem Nomarskiego, układ do pomiarów Halla. |
| |
|
|
Laboratorium charakteryzacji detektorów podczerwieni wyposażone w: spektrofotometr FTIR do pomiarów charakterystyk widmowych detektorów, układ do pomiaru charakterystyk I-V fotodiod, układ do pomiaru charakterystyk C-V fotodiod i struktur MIS, układ do pomiaru szumów detektorów. |
| |
